מדעbiotech
חוקרים מפענחים כיצד נכתב מידע בזיכרון פרו-חשמלי ברמה הננומטרית
חוקרים במכון KAISTחקרו את המנגנונים הננומטריים הבסיסיים המעורבים בכתיבת מידע להתקני זיכרון פרו-חשמליים. הצוות צפה באורח שבו אזורים זעירים עם כיווני קיטוב חדשים נוצרים בעוד אזורים קודמים ממשיכים להתרחב. על ידי קישור תצפיות אלו למדידות חשמליות, פיתחו החוקרים מקיף המספק בסיס חיוני לתכנון מערכות זיכרון מתקדמות, מהירות ויציבות יותר.